PSMN7R0-100BS,118 与 IPB083N10N3 G 区别
| 型号 | PSMN7R0-100BS,118 | IPB083N10N3 G | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN7R0-100BS,118 | A-IPB083N10N3 G | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | PSMN7R0 Series 100 V 100 A 6.8 mOhm N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 269W | 125W | ||||||||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||||||||
| 上升时间 | - | 42ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 55nC | ||||||||
| 输出电容 | 438pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 45S | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-2 | TO-263-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 80A | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||||||
| 输入电容 | 6686pF | - | ||||||||
| 长度 | - | 10mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 8ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 6.8mΩ@15A,10V | 8.3mΩ@73A,10V | ||||||||
| 高度 | - | 4.4mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 145 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-2 N-Channel 6.8mΩ@15A,10V 269W -55°C~175°C ±20V 100V 100A |
￥31.6001
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145 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥28.7377
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800 | 对比 | ||||||||||||||||
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RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥28.7377
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23 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFS4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFS4310ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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